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產品型號：STS-321-18C

爐膛容積：321L

額定溫度：1800℃

控溫精度：±1℃

應用領域：升降式燒結爐用于電子陶瓷、磁性材料、功能陶瓷、結構陶瓷、靶材和復合材料的高溫燒結，非常適合實驗室和工廠的小批量生產和中試。

產品型號：STQ-8-12

爐膛尺寸：200 x300*120mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結構，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結。

產品型號：STQ-500-14

爐膛容積：500L

額定溫度：1400℃

控溫精度：±1℃

應用領域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結構，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結

產品型號：STQ-90-17

爐膛容積：90L

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應用領域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結構，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結。

產品型號：STQ-20-17

爐膛尺寸：250*320*250mm

最高溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應用領域：箱式氣氛爐爐體法蘭式密封結構，在材料的熱處理過程中，可以通入氮氣、氬氣、氧氣等保護氣體，用于碳材料、金屬材料、生物質材料的熱處理，也可用于鋰電池三元材料的燒結

產品型號：STGP-80-12

爐膛尺寸：Φ80x1200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領域：PECVD系統（等離子增強化學氣相沉積系統）由管式爐、真空獲得、流量控制和射頻電源四大模塊組成， 本設備借助13.56Mhz的射頻輸出使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內形成等離子體，利用等離子的強化學活性，改善反應條件，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術，得到基片上沉積出所期望的薄膜，適用于1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積。

產品型號：STG-100-12

爐膛尺寸：Φ100x1000mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領域：應用于高等院校、科研院所、石油化工、航空航天等行業的金屬材料、納米材料、粉末冶金等新材料領域的燒結和高溫熱處理。

產品型號：STG-100-14

爐膛尺寸：Φ100x1000mm

額定溫度：1400℃

控溫精度：±1℃

應用領域：1400℃管式爐應用于高等院校、科研院所、工廠企業、石油化工、航空航天等行業的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導體材料、粉末冶金等新材料領域的燒結和高溫熱處理。

產品型號：STG-100-17

爐膛尺寸：Φ100x1000mm

額定溫度：1700℃

控溫精度：±1℃

應用領域：1700℃管式爐應用于高等院校、科研院所、工廠企業、石油化工、航空航天等行業的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導體材料、粉末冶金等新材料領域的燒結和高溫熱處理。

產品型號：STG-120-12-3

爐膛尺寸：Φ120×1500mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領域：三溫區管式爐應用于高等院校、科研院所、工廠企業、石油化工、航空航天等行業的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導體材料、粉末冶金等新材料領域的燒結和高溫熱處理。

產品型號：STG-150-12-2

爐膛尺寸：Φ150×1200mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領域：雙溫區管式爐應用于高等院校、科研院所、工廠企業、石油化工、航空航天等行業的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導體材料、粉末冶金等新材料領域的燒結和高溫熱處理。

產品型號：STM-3-12

爐膛尺寸：150 x150x150mm

額定溫度：1200℃

控溫精度：±1℃

應用領域：1200℃馬弗爐(箱式電阻爐)應用于高等院校、科研院所、工廠企業、石油化工、航空航天等行業的金屬材料、陶瓷材料、納米材料、半導體材料等新材料領域的燒結和高溫熱處理。